十四五规划提名第三代半导体碳化硅、氮化镓站上风口

发布时间:2021-07-19 阅读量:

  近日,全国两会落下帷幕,第三代半导体成为了两会的关键词之一。

  3月12日,新华社发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》。纲要中集成电路领域称要取得碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体的发展。

  两会期间,全国政协委员王文银在采访中称,伴随着第三代半导体行业的触角向5G基站、特高压、城际高铁交通、新能源充电桩等关键领域延伸,我国半导体行业发展风口已至。

  第三代半导体是国家2030规划和“十四五”国家研发计划确定的重要发展方向,被视作我国半导体产业弯道超车的机会。要采取果断措施,推动我国第三代半导体产业落地。

  对于第三代半导体领域,各国的研究和水平差距不大,而国内多数专家也对我国第三代半导体的发展持积极态度,第三代半导体材料或许可以成为我们摆脱集成电路被动局面,实现芯片技术追赶和超车的良机。